cpu的制造工艺有哪些,cpu目前最先进的制造工艺能达到多少

  cpu的制造工艺有哪些,cpu目前最先进的制造工艺能达到多少

  无论是CPU、GPU还是闪存,工艺技术都是决定它们能否超越自己水平的核心因素。从表面数字看,工艺号越小,技术越先进。可以将更多的晶体管塞进更小的空间,可以降低泄漏率,可以提高整体芯片性能,并且可以降低功耗。但由于制造工艺没有统一规范的参考标准,工艺数字背后往往有水分。

  这就好比英特尔在14nm工艺上停滞了3年,而三星和TSMC却领先一步步入了10nm时代。那么,他们的10nm就一定比英特尔的14nm好吗?

  A9处理器的版本之争

  让我们回忆一下2015年iPhone6s A9处理器的版本之争。为了确保稳定的供应,苹果正在寻找三星(14纳米)和TSMC(16纳米)生产A9处理器,如果从表面分析,理论上应该是三星代工的A9能耗比更好,因为14nm优于16nm。

  令人惊讶的是,通过无数用户的反馈和测试,TSMC制造的A9比三星制造的A9更好,续航时间更长。

  原因很简单。虽然14nm和16nm相差2 nm,但两者都属于同一个时代的技术。不存在14nm比16nm更先进的说法。另外,TSMC为A9代工的工艺属于16nm FinFET Plus,已经属于第二代16nm,而三星为A9准备的是14nm FinFET LPE,属于第一代14nm工艺。更成熟的16nm FinFET Plus有更大的天然优势。

  谁在定制标准?

  细心的童鞋应该已经发现,三星移动处理器的制造工艺在经历了28nm之后,跃升到了14nm。TSMC在28nm之后也推出了20nm工艺,但只有高通骁龙810和联发科Helio X20采用,也在短时间内跃升至16nm。

  换句话说,三星和台积电每一次推出的工艺节点并没有明显的迭代关系,给人的感觉就是“忽如一夜春风来”。

  另一方面,英特尔一直遵循摩尔定律:每一代制造工艺,芯片上的晶体管数量应该增加一倍。每一次,英特尔都遵循了根据上一代制程技术减少约0.7倍的新制程节点命名原则。从90纳米65纳米45纳米32纳米22纳米14纳米10纳米7纳米,每一代工艺节点单位面积可容纳的晶体管是上一代的两倍。

  因此,英特尔高管不止一次表示,进一步小型化工艺越来越困难。一些公司开始偏离摩尔定律。即使晶体管密度增加很少或没有增加,他们继续命名工艺节点。是的,英特尔暗讽的就是三星和台积电,他们的16nm、14nm和10nm根本就无法体现位于摩尔定律曲线的正确位置!

  隐藏在数字背后的秘密

  那么,如何才能计算出标准的晶体管密度指数呢?此前,英特尔在精密制造日的活动中拒绝了“栅极间距最小金属间距”和“栅极间距逻辑单元高度”这两个传统的计算公式,因为它们无法真正测量实际的晶体管密度,也就是没有试图解释设计库中不同类型逻辑单元的相对密度以及这些指标相对于上一代的量化。

  正因如此,英特尔开始倡导一个曾经流行但一度“失宠”的计算公式,该公式基于标准逻辑单元的晶体管密度,包含多个决定典型设计的权重因子。

  如果按照这个公式计算,虽然英特尔的技术从字面上看似乎“落后”于竞争对手,但其成就是可以跨越的。

  简单来说,即使是英特尔在2014年推出的第一代14nm技术,在鳍间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元面积等核心参数上,也拥有与竞争对手10nm相当的性能。

  换句话说,哪怕竞争对手在工艺命名上“掺水”,最新工艺才刚刚达到英特尔3年前的水准。,要知道,现在英特尔的14nm已经进化到14nm了,最新的10nm工艺也即将推出。

  说到英特尔的10nm,与竞争对手相比有多少差距?从英特尔给出的参数对比来看,在所有项目中,英特尔的10nm遥遥领先于TSMC和三星的10nm,可以直接与对手明年量产的7nm工艺PK。

  随着英特尔随后推出10纳米和10纳米优化工艺,它们甚至可以与竞争对手的5纳米工艺相媲美。

  英特尔在工艺上处于领先地位的证明,还体现在最新材料和技术的应用上。比如英特尔从90nm时代就推出了应变硅,而竞争对手是从65nm时代推出的;英特尔带来了45纳米的高k金属栅极,但竞争对手只在28纳米进行了尝试。

  翻译过来,Intel只是想强调自己的工艺是业界最标准的叫法,其他家大多是掺水的。希望消费者不要轻易上当。

  学习成本转嫁消费者

  虽然业内人士都知道Intel的技术是最好的,但是有一定基础知识的玩家也可以通过公式和数据来辨别每项技术的强弱关系。然而,对绝大多数普通消费者而言,复杂的公式和冗长的解释都太过深奥,我们只知道10m比14nm好,7nm是10nm的下一代。按照惯例,更新的工艺就代表更厉害。

  此外,英特尔的领先技术长期以来只被自己用来生产X86处理器。然而,竞争对手的技术主要用于设计ARM处理器。他们之间没有直接的竞争,最终的产品也不好比较。

  所以,相对于TSMC和三星新一代技术几乎两年一个的速度(哪怕只是一个数字游戏),英特尔至少三年打磨同一项技术的进度实在是效率低下。将学习成本转嫁给消费者,让大家了解14nm+比别人10nm好,10nm比别人7nm棒?只能说任重而道远。

  看到这里,相信你对处理器背后的工艺有了一定的了解,数字大小并不能完全体现能耗比,在鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度等复杂的专业名词面前,英特尔总有越级挑战的能力,因为行业缺乏强制性的标准概念。

  好消息是,英特尔现在已经全面开放外包业务。基于ARM Cortex-A75核心的10nm测试芯片仅用12周就完成了流片,而展讯今年推出的两款移动处理器SC9861G-IA和SC9853I均采用英特尔的14nm工艺制造。

  如果英特尔能吸引高通、联发科、麒麟、小米的处理器采用自己的技术,然后与同期同档次竞争对手的芯片进行实际PK,那么消费者就能真正感受到技术对标带来的强大力量。

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